気づかない内に
IEDMが終わっていました(^^;)
例によってImageSensorsWorldさんの
このエントリのリンク先のwordを読むと、
このシリコン表面ピラミッド構造のIR用センサについてabstに加えて特性面・スペック面で追加で分かった情報は以下。
・画素数:200万画素
・ピラミッド構造のピッチ(≒繰り返し周期):400nm
・850nmの赤外感度:50%アップ
50%ですか・・・正直予想していたよりも上がりますね。
今の裏面照射型センサというのは、想像以上に薄く研磨する(ことによって受光部シリコンの厚みが削られる)のでしょうか。
以前何かの資料でソニーの裏面照射型センサのフォトダイオードの深さは2um程度確保されていて、更に今後の世代は厚くして(より感度を高めて)いく という様な趣旨のものを見た記憶がありますが・・・
上記方針転換したのか、フォトダイオードを厚くして赤外感度を上げる手法についてコメントがあり、意訳すると・・・
高エネルギーなイオン注入装置の様な製造装置への投資が必要になるため ≒ コストが掛かるため
今回の表面ピラミッド構造のセンサの方がリーズナブルだとの主張です。
・・・ということは、コスト低減狙いで採用したということは、この表面をピラミッド形状にする製造方法は、さほどお金が掛からないということなのですね、きっと。
また、”スマホ用センサで何故IRセンサ?”と個人的に疑問に思っていたのですが、それも書いてありました。それによると・・・
・虹彩認証 (←ロック解除)
・(iPhoneXの様な)顔認識
・(ToFセンサによる)モーションセンシング
()内は私の補足
用だそうです。
やはり一般のスマホにサーモ画像用カメラなんてつけませんよね、プレデター好きには受けそうですが(^^;) ・・・って、プレデターは世代によっては通じないでしょうか(笑)
ISSCC2018に戻ります。
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