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Imager マニア

デジカメ / デジタルビデオカメラ / スマホ用の撮像素子(イメージセンサ/imager/CMOSセンサ)について、マニアな情報や私見を徒然なるままに述べるBlogです(^^;)

ソニー 8Mpix / 480fps Gain-Adaptive列AD? 2-on1 stacked device structure? ~VLSIシンポジウムプログラムより 今月のNABでソニーより4K480pの業務用カムコーダー発表?

今週書きたいのはタイトルの件なのですが、その前に(^^;)
先週のGalaxyS7に続いて、チップワークスでiPhoneSEの簡単な分解レポートが出されています
それによると、
 ◆メインカメラ(≒リアカメラ)搭載撮像素子はソニー製で、iPhone6sと同じもの
 ◆サブカメラ(≒フロントカメラ=FaceTimeカメラ)搭載撮像素子はOmniVision製裏面照射型
  ・型番    :OV2E0BNN
  ・画素数   :1.2M
  ・画素ピッチ :1.75um□
  ・チップサイズ:4.3 mm x 4.1 mm ≒ 17.6 mm2
  参考:カメラモジュールサイズ:6.0 mm x 5.5 mm x 3.8 mm 厚
となっていたようです。

 これを見ると、iPhoneSEのカメラ(撮像素子)に関してのトピックは、
iPhone5s以来、オムにビジョンがソニーからFaceTimeカメラ搭載撮像素子の座は取り戻した”
ということでしょうか。

↑ OmniVision製 1.2Mpix裏面照射型センサ 上面顕微鏡写真 チップワークスblogより

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Samsung GalaxyS7 カメラ搭載撮像素子は、自社製とソニー製と両方だった ~全画素PDAF、そしてソニーIMX260はCu-Cuボンディング積層!

Readノイズ1e-未満シリーズ(0.5e-未満シリーズ!?)も、あともう一つだけ書いておきたい件があるのですが、連続4回続けましたので流石に一旦間を開けて、
今回は最近では一番気になった撮像素子の件でいこうと思います。
(本当はCP+の内容も、来年以降振り返るために残しておきたいと思っていたり、またここ最近各社から発表されたカメラ群で、まだ取り上げていなくて興味あるものも多数あるのですが・・・)


 しばらく前の発表になりますが、

Samsung GalaxyS7 Edge にソニー製”IMX260”センサが採用され
 そのセンサが全画素PDAF(=位相差AF画素)で、かつ(私が知る限り)量産レベルでは世界初のチップ積層をTSVでは無くCu-Cuボンディングで行っていた


 そして

Samsung GalaxyS7 (Edge) は、サムスンの自社製センサを搭載しているものもあり
 以前のS6同様カメラ搭載センサはソニー製とサムスン製の2種が混在している

という件。
やはりこれが最近では個人的に一番のトピックでしょうか。


↑Samsung GalaxyS7 Edge 搭載 ソニー製IMX260センサ 顕微鏡写真
 写真は①のリンク先のチップワークスblogより

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Read noise 1electron 以下のセンサーたち その4:静岡大 ~リセットゲートが無い!?25V!?やはり徹底的にFD容量低減図りました

さて、今週もアクセス数が減り続けても(^^;)マニアックに(?)件名のシリーズその4です。

前々々回
前々回前回の内、結局最も低ノイズな値を叩き出していたのは(限定的な条件下ではあるものの)最初のCaeleste0.34e-rmsでした。
今回の件は、私が見たことがある中では現状最も小さなReadノイズの値を叩き出している件になります。

 先週もチラッと書きましたが、日本の大学のイメージセンサ界(?)で勢力を東北大と二分する(?)
◆静岡大学
 の件になります。
ソースは今回はIISWでは無いのですが、やはり何故か(大学研究の宣伝、共同研究募集のため?)オープンになっているコチラから。

「A 0.27e− rms Read Noise 220-μV/e− Conversion Gain Reset-Gate-Less CMOS Image Sensor With 0.11-μm CIS Process」

「0.11um CMOSイメージセンサプロセスを用いた、リセットゲートの無い、リードノイズ0.27e-rmsでコンバージョンゲインが220uV/e-のCMOSイメージセンサ」
 邦題にベタに訳すとこんな感じでしょうか。

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Read noise 1electron 以下のセンサーたち その3:東北大 ~LDDを取っ払う!?とにかくFD容量低減を徹底しました!

3週振りでしょうか。CP+前後の2週間何も更新しないと、書きたいことがたくさんあり過ぎて、一周回って何を書いていいのかわからなくなっている状態です(^^;)
blog復帰のために、自分の感情抜きに落ち着いて書けるマニアックな(?)”読み出しノイズ1e-以下シリーズ”からいきたいと思います(^^;)


 前回前々回の海外勢に対抗して、3つ目は遂に我らが(?)日本勢の登場です。
イメージセンサ分野での世界の雄と言えばソニー、そして大学における同分野の日本の雄と言えば東北大と静岡大(←双方とも私の感覚ですが^^;)。
今回はその片方の東北大からです。
出自はやはり資料がオープンになっているIISW 2015より。

◆東北大
Analysis and Reduction of Floating Diffusion Capacitance Components of CMOS Image Sensor for Photon-Countable Sensitivity

邦題にするとすれば
「1光子検出可能なCMOSイメージセンサの浮遊拡散容量(=FD容量)要素の分析と低減」
こんな感じでしょうか。

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Read noise 1electron 以下のセンサーたち その2:CEA-LETI ~画素SFをPMOSにしてそこだけゲート膜を薄膜化。更にアナログで高ゲイン読み出し

さて、世間がペンタックスK-1キヤノンEOS 80Dの発表で賑わっているところ(?)、こちらは頭の整理がまだ出来ていないので(^^;)先週からのタイトルの続き物シリーズ(?)で。

 先週いきなりこの”Read Noise 1electron以下”ネタを始めたキッカケは、
昨年末に東京ビックサイトで行われた画像機器展に行って、PointGreyという主に産業用カメラを作って販売している会社のパンフを手渡され、
そこに載っていた各社センサ搭載カメラの特性値一覧のblogエントリを行ったことです。

 そのパンフに載っていた、POINTGREY社が計測したカメラ搭載センサの中で、Read noise(読み出しノイズ)が最も小さかったセンサは、ソニー製IMX252”2.34e-rms”でした。

そうしたところ、コメント欄でTantosさんから、「いやいやノイズだけならもっと凄い科学用のセンサがある」とのことで、それがFairchild社製のsCMOSというものでした。
これがRead Noiseが1e-を切る(←30fps時であれば平均的な画素であれば0.8e-を切る程度)ということで、
”世の中に実用化されているセンサの中でもうこんなに低ノイズなセンサがあるのか”
と衝撃を受けました。

で、”では一体、実用にはまだ至っていなかったとしても、今世の中の超最先端(?)の研究開発レベルではどんな低ノイズなセンサが世の中にあるのかな?”
ということで、調べ始めた次第。

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